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DMT6010LFG-7  与  BSZ100N06LS3 G  区别

型号 DMT6010LFG-7 BSZ100N06LS3 G
唯样编号 A36-DMT6010LFG-7 A-BSZ100N06LS3 G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.7mΩ
上升时间 - 58ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.2W(Ta),41W(Tc) 50W
Qg-栅极电荷 - 45nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2090 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 20S
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 41.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 13A(Ta),30A(Tc) 20A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
驱动电压 4.5V,10V -
长度 - 3.3mm
下降时间 - 8ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 3,925 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.388
100+ :  ¥2.607
1,000+ :  ¥2.277
2,000+ :  ¥2.145
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6010LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥3.388 

阶梯数 价格
20: ¥3.388
100: ¥2.607
1,000: ¥2.277
2,000: ¥2.145
3,925 当前型号
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